Après plus de treize années d'innovation continue et le lancement réussi de la première génération de modules semi-conducteurs intégrant des puces en carbure de silicium (SiC), Mitsubishi a franchi un nouveau cap cet été 2023. L'entreprise a dévoilé la seconde génération de son module semi-conducteur SiC, baptisée Nx-Type Full-SiC, marquant ainsi une avancée significative dans le domaine de l'électronique de puissance.
Le travail de Mitsubishi sur le module Nx-Type Full-SiC s'est concentré sur la réduction des pertes de puissance et l'optimisation de la structure d'électrode. Cette dernière est désormais dotée d'électrodes stratifiées, permettant de diminuer l'inductance interne à seulement 9nH - une réduction significative de 47% par rapport au module précédent. Cette avancée technologique élimine les surtensions et protège l'ensemble du système, tout en permettant une commutation plus rapide. En conséquence, les pertes de commutation et de puissance sont également réduites.
Un des points principal de cette seconde génération est l'intégration d'une puce SiC à faible perte, exploitant la technologie de dopage de transistor à effet de champ de jonction (JFET). Cette technique, augmentant la densité d'impuretés dans la zone JFET, permet d'accroître la densité de l'appareil. Le résultat est une réduction substantielle de la perte de puissance, de l'ordre de 72%, rendant le module nettement plus efficace. Cette diminution de la perte de puissance a également un impact bénéfique sur la gestion thermique, permettant l'utilisation de systèmes de refroidissement plus compacts et légers.
Le nouveau module Nx-Type Full-SiC est un composant clé pour la réalisation d'équipements industriels plus performants, plus compacts et plus légers. Cette innovation de Mitsubishi ouvre la voie à de nouvelles possibilités dans le domaine de l'électronique de puissance, promettant une efficacité et une fiabilité accrues pour les applications industrielles.
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